根据中国财新网、香港南华早报报导，美国记忆体大厂美光科技（Micro Technology）已证实，今年底前将裁撤上海的DRAM设计团队，并要求150名员工移往印度或美国。这是美光继缩减中国的NAND快闪记忆体设计团队后，再度对中国记忆体业务采取行动，目的是为了防止人才和技术流向中国的竞争对手。
不愿具名的美光员工表示，这个计划是在去年12月决定，因上海DRAM设计团队的部分高层与大量员工遭中国竞争对手挖角，有技术外泄的疑虑，而美中关系日趋紧张也是另一原因。美光负责上海DRAM设计业务的主管在领英（LinkedIn）透露，将调任美国亚特兰大业务部门负责人。
市场分析师表示，美光关闭上海DRAM设计团队是预防性措施，目的在防止人才与技术流向中国竞争对手。近年来中国在“中国制造2025”计划下，积极发展半导体产业，以高薪和股票选择权挖走外企员工的情况时有所闻，美光上海DRAM设计团队300名员工中，就有超过1/3被挖角。
在这次关闭上海的DRAM设计团队前，美光就已缩减中国的NAND快闪记忆体设计团队，并将其亚洲NAND研制中心迁往新加坡。
美光先前表示，对中国政府以各项资金补贴其竞争对手，并限制外企发展表达忧心，称这种作法将冲击美光业务。
美光并非第1家缩减中国研发团队的美国半导体公司；超微半导体（AMD）先前也表示，计划缩减上海研发中心，促使一些员工离职。许多美国半导体公司并未与中国籍员工签署竞业条款（non-compete agreement），使中国竞争对手可以轻易挖角。
