人工智能（AI）需求爆发，全球三大记忆芯片供应商所生产的高带宽内存（HBM）今明年都可能供不应求。韩媒报导，三星电子和SK海力士也看好DRAM和高带宽内存（HBM）今年价格都会保持稳定。
韩国经济日报报导，三星电子和SK海力士为满足需求，已将超过20％的DRAM产线改为生产HBM。在三星证券上周举办的投资人关系活动上，这两家公司均表示，DRAM的产量将随需求减少。
市场研究公司也指出，SK海力士和美光今年HBM已销售一空，而明年订单也接近满载。
晨星（Morningstar）证券研究主管 Kazunori Ito说：「我们预料整体内存供货在2024年全年持续吃紧。」
Nasdaq IR Intelligence主管William Bailey指出，「这些芯片制造起来更为复杂，增产一直有困难。这很可能导致一直到2024年底和2025年大部分时间都缺货。」
SK海力士首席执行官郭鲁正上周在记者会已表示，就目前产能来看，他们的HBM芯片今年已被订光，2025年的订单也接近满载。
SK海力士一位主管在投资人关系活动上向法人进一步解释，他们每年按合约供应HBM芯片，合约中明定供应数量、支付方式和截止日期。他说：「根据到今年年底的产能，我们明年排定的所有生产都被订满。」
SK海力士主要客户辉达（Nvidia）的订单中，8层的HBM3E芯片占了大部分。据报导，三星电子也可能成为辉达的供应商。
SK海力士这位主管说：「HBM3跌价会被HBM3E涨价所抵销。因此，我们将能够保持目前水准的利润。」
市场情报公司集邦3月曾表示，HBM的生产周期比个人电脑和服务器常见的DDR5内存芯片长1.5至2个月。
三星电子也表示，他们所生产的HBM芯片也已售罄。三星电子主管说：「考量到供需状况，HBM在2025年不会供应过剩。」
三星这位主管表示，该公司已缩小和SK海力士在8层HBM3E芯片领域的差距，同时在12层的HBM3E市场中取得领先地位。三星计划第2季开始生产12层的HBM3E芯片。
三星电子已率先送出12层的HBM3E的样本。SK海力士本月记者会上也表示 ，将在第3季量产12层的HBM3E。
因应不断增长的需求，SK海力士计划在美国印第安纳州投资先进封装设施，并在南韩的淸州M15X厂和龙仁半导体厂扩大产能。