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    传SK海力士拟砸40亿美元 赴印第安纳州设先进封装厂

    韩国芯片业者SK海力士(SK Hynix)计划斥资约40亿美元,在印第安纳州西拉法叶市建先进芯片封装厂。(路透)

    消息人士透露,韩国芯片业者、辉达供应商SK海力士(SK Hynix)正计划斥资约40亿美元,在印第安纳州西拉法叶市(West Lafayette)兴建一座先进芯片封装厂。

    华尔街日报(WSJ)今天报导,消息人士指称,这座厂房可能2028年开始营运。

    SK海力士在声明中说,正在审视这项赴美设立先进芯片封装厂的计划,但尚未拍板定案。据报导,这座设施有望创造800至1000个就业机会。

    SK海力士曾在2022年承诺,将投资150亿美元于美国半导体产业,资金用于研发计划、材料及设立先进封测厂等。

    这个全球第二大内存芯片制造商,已开始量产用于人工智能(AI)芯片组的下一代高带宽内存(HBM)芯片。消息来源表示,首批出货将于本月交付给辉达(Nvidia)。

    SK海力士是辉达使用的HBM3芯片唯一供应商,而辉达在AI芯片市占率高达80%。

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