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    SK海力士砸10亿美元发展先进封装 巩固HBM芯片领导地位

    SK海力士正大举支出投入先进芯片封装,要巩固在HBM芯片领导地位。图为南韩产业部长Ahn Duk-geun访视SK海力士工厂产线。(欧新社)

    南韩内存大厂SK海力士正大举支出投入先进芯片封装,希望能抓住市场对高带宽内存(HBM)这种发展AI重要零组件兴旺的更多需求。

    彭博资讯报导,目前带领SK海力士封装研发的李康旭( Lee Kang-Wook,音译)表示,公司正在南韩投资逾10亿美元,扩展并改善其芯片制造的最后步骤。这一部分的创新是HBM优势的内核,封装升级将是有助降低功耗、提升性能和维持SK海力士在HBM市场领导地位的关键。HBM是当前最受欢迎的AI内存。

    虽然SK海力士没有揭露今年的资本支出预算,但分析师平均预估该数字为14兆韩元(105亿美元),这代表投入先进封装的研发可能占了其中的10%,是一大优先项目。

    李康旭在接受彭博资讯专访时表示:「半导体产业的头50年一直聚焦前端、或是设计与芯片制造本身,但下个50年,将聚焦后端,或是封装。」

    55岁的李康旭协助为第三代HBM技术HBM2E创建创新的封装方式,另外两大内存厂也正迅速追赶。此一创新是帮助SK海力士在2019年底赢得辉达成为客户的内核关键。

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