日经报导，中国DRAM大厂长鑫存储正加紧努力，要打造出首款国产高带宽内存（HBM）。对岸还没有本土芯片制造商能生产HBM来加速AI运算。
知情人士说，长鑫存储已从美国和日本供应商那里订购并且收到了一些适合生产和组装HBM的制造和测试设备。一位芯片业高管表示，长鑫存储急于取得尚未受到出口管制的HBM生产设备，即使其HBM技术尚未逹到量产程度。
据悉，去年以来，长鑫存储优先发展垂直堆栈DRAM芯片的技术，以便拷贝HBM芯片架构。
根据两位消息人士，包括应用材料（Applied Materials）和科林研发（Lam Research）在内的一些美国主要设备供应商已取得华府许可，自2023年中开始向中国的内存制造商提供芯片生产工具。
长鑫存储去年底宣布，已开始生产中国首批LPDDR5内存芯片。这使得长鑫存储在技术方面仅次于美光（Micron）和SK海力士，领先台湾的南亚科技，后者更专注于专业市场而非大众消费电子产品业务。
但长鑫存储2023年在全球DRAM的市占率还不到1%，三星、SK 海力士、美光三大巨头则控制了97%的市场。
与此同时，根据集邦科技数据，三星和SK海力士主导HBM的生产，2023年市占率合计逾92%。美光则约4%至6%。
Counterpoint半导体分析师Brady Wang指出，中国盼HBM自给自足面临许多挑战。他说：「当DRAM技术落后全球对手，你的HBM技术在商业化市场的竞争将居于劣势。遑论HBM的生产需要复杂的设计和制造技术。这可能是个陡峭的攀爬过程。中国国家队要打破该领域由国际主导的现况并非易事。其首要目标仍是满足国内需求。」