全球内存芯片制造商龙头三星电子今年可能提高高带宽内存（HBM）芯片产量近三倍，以抢得人工智能（AI）内存芯片市场的领导地位。此外，引领HBM市场的SK海力士（SK Hynix）坦承，正寻求在美国兴建芯片封装厂。
韩国经济日报报导，三星电子运行副总裁兼DRAM产品与科技部门主管黄相中（音译，Hwang Sang-joong）于26日在美国加州圣荷西举办的Memcon 2024活动表示，他预期三星电子今年的HBM产量将比去年增加2.9倍，多于三星电子今年初在拉斯维加斯消费电子展（CES）预估的2.5倍。
他说，在已开始量产的第三代HBM2E和第四代HBM3后，三星电子计划今年上半年大量生产12层的第五代HBM、及以32GB为基础的128 GB DDR5，「有了这些产品，我们预期将强化我们在AI时代的高效、高容量内存市占」。
三星电子也发表HBM发展路线图，希望2026年的HBM出货量能比2023年多出13.8倍，2028年的HBM年产量更要比2023年高出23.1倍。该公司也展示首款12堆栈HBM3E DRAM「HBM3E 12H」芯片，目前已送出样品给客户，计划今年上半年开始量产。
另据日经新闻报导，在媒体披露SK海力士计划在印第安纳州投资约40亿美元兴建一座工厂后，SK海力士首席执行官郭鲁正27日坦承，「正在考虑建厂，但还没敲定任何事情」。